收藏本站
NTHD4502N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
8
6
V GS = 10, 6, 5, 4.5 & 4.2 V resp.
4V
3.8 V
3.6 V
6
5
4
V DS ≥ 10 V
3.4 V
3
4
T J = 25 ° C
3.2 V
2
100 ° C
2
0
0
1
2
3
4
5
3V
2.8 V
2.6 V
6
1
0
1
25 ° C
2
T J = ? 55 ° C
3
4 5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.3
0.25
0.2
I D = 2.9 A
T J = 25 ° C
0.12
0.11
0.10
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.15
0.09
0.1
0.05
0.08
V GS = 10 V
0
2
3
4
5
6
7
8 9
10
0.07
2
3
4
5
6
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
I D = 2.9 A
V GS = 10 V
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
1.0
10
T J = 100 ° C
1
0.8
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTHD4508NT1G MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
NTHD4N02FT1G MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
NTHD4P02FT1G MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
NTHD5903T1G MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
NTHD5904NT1G MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET
NTHS2101PT1 MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
NTHS4101PT1G MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
NTHS4166NT1G MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
相关代理商/技术参数
NTHD4502NT1G 功能描述:MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4508N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4508NT1 功能描述:MOSFET 20V 4.1A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4508NT1G 功能描述:MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4N02 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
NTHD4N02F 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode
NTHD4N02FT1 功能描述:MOSFET 20V 3.9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4N02FT1G 功能描述:MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube